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CBB21-400V-823J薄膜电容

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CBB21-400V-823J薄膜电容详细参数

所属分类:金属薄膜电容器
产品型号:CBB21-400V-823J
温度特性:聚丙烯
电容量:0.082μF
标准偏差:J±5%
本体直径:18mm
本体厚度:13.5mm
本体高度:7mm
引线间距:15mm
引线长度:3~20mm
引线直径:0.8mm
包封长度:无mm
额定电压:400VDC
耐压:740V
更新时间:
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  • CBB21-400V-823J薄膜电容相关信息

薄膜电容器是以金属箔当电极,将其和聚乙酯,聚丙烯,聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,从两端重叠后,卷绕成圆筒状的构造之电容器。薄膜电容的损耗由什么引起的呢,多方面解析原因。

薄膜电容器的tgδ除与温度、频率有关外,还受其它许多因素的累响,如电压、湿度等在一般结构的电容器中,如不考虑电压增大引起的电容器发热,从而使损耗有所增大时,损耗tgδ与电压的关系很小,但当薄膜电容器具有夹层式极化损耗、自发极化损耗以及电离损耗寸,其tgδ将随电压发生显著的变化。

薄膜电容器介质本身或介质与介质及介质与极板之间存在空隙时,当电压足够高时,气隙的电离将引起损耗tgδ迅速增大。在电离损耗中,除了由于气隙电离引起的损耗外,还有一种所请闪跞效应”引起的损耗。

由于工艺不佳,在极板边缘可能会含有不连续金属膜层和孤立的导电徵粒,在较高电压作用下,它们之间会发生微放电现象,这就是所谓的闪烁效应”。潮是对薄膜电容器损耗的影响也十分明显,在潮湿环境中,电容器表面上逐渐凝结水分,形成水膜,使表面漏导电流增大,导致损耗tgδ增大。此外,当水分子进入介质时,会改变材料的性能,同时会增大金属层的氧化和腐蚀,促使薄膜电容器早期失效。

关键词:CBB21电容器823J400VDC0.082μF聚丙烯5%,薄膜电容823J,CBB21电容

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